Wissenschaftler - GaN-Technologie / Hochfrequenzelektronik (all genders)

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Ort:  Freiburg

Datum:  07.11.2025

Wissenschaftler - GaN-Technologie / Hochfrequenzelektronik (all genders)

INNOVATIONEN AUS EINER HAND
VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. 

Wir suchen Sie als Wissenschaftler (all genders) für die Bauelemententwicklung!
Bringen Sie Ihre Expertise ein und freuen Sie sich auf spannende Herausforderungen, bei denen Sie innovative Prozesse entwickeln und in einem engagierten Umfeld an wegweisenden Forschungs- und Entwicklungsprojekten arbeiten können.

Was Sie bei uns tun

In der Abteilung Technologie arbeiten wir an der Prozessierung von Wafern zur Herstellung mikroelektronischer Bauelemente und Schaltungen für Anwendungen in der Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik auf Basis des Halbleitermaterials GaN.

Der Schwerpunkt Ihrer Tätigkeit liegt in der Prozessentwicklung im Reinraum.
Zu Ihren Aufgaben gehören:

• Gemeinsam mit Ihren Kolleg*innen entwickeln Sie Prozesse zur Verbesserung der Bauelementeigenschaften, insbesondere hinsichtlich Leistungsdichte, Effizienz, Ausbeute und Zuverlässigkeit.
• In Zusammenarbeit mit den Abteilungen Epitaxie und Mikroelektronik akquirieren und steuern Sie nationale sowie internationale Forschungs- und Entwicklungsprojekte.
• Sie treiben innovative Projekte voran und arbeiten interdisziplinär, um zukunftsweisende Lösungen zu entwickeln.

Was Sie mitbringen

• Abgeschlossenes Hochschulstudium (Master/Diplom) in Physik, Elektrotechnik oder Mikrosystemtechnik, idealerweise mit Promotion
• Erfahrung in der Halbleitertechnologie, insbesondere in der GaN-Elektronik sowie Kenntnisse in Materialwissenschaften und der Funktionsweise elektronischer Halbleiterbauelemente
• Idealerweise: Erfahrung in Akquise und Leitung von Projekten
• Selbstständige Arbeitsweise mit der Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten
• Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke und Spaß an experimenteller Arbeit
• Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse

Was Sie erwarten können

• Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette
• Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten
• Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern
• Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung
• Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie
• Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eigenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten
• Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen
• Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates)
• Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.)
• Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut

 Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch teilzeit besetzt werden. Die Stelle ist zunächst auf drei Jahre befristet. 

Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung finden wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern.
Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier: Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF - Fraunhofer IAF  

Mit ihrer Fokussierung auf zukunftsrelevante Schlüsseltechnologien sowie auf die Verwertung der Ergebnisse in Wirtschaft und Industrie spielt die Fraunhofer-Gesellschaft eine zentrale Rolle im Innovationsprozess. Als Wegweiser und Impulsgeber für innovative Entwicklung und wissenschaftliche Exzellenz wirkt sie mit an der Gestaltung unserer Gesellschaft und unserer Zukunft.

Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt, und machen Sie einen Unterschied! Nach Eingang Ihrer Online-Bewerbung (Anschreiben, Lebeneslauf, relevante Zeugnisse) erhalten Sie eine automatische Empfangsbestätigung. Dann melden wir uns schnellstmöglich und sagen Ihnen, wie es weitergeht.

Sie haben Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsablauf oder zur Barrierefreiheit? Sie brauchen Unterstützung?
Unsere Recruiterin Kathrin Escher ist für Sie da:

+49 761 5159-374
recruiting@iaf.fraunhofer.de

Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF 

www.iaf.fraunhofer.de

Kennziffer: 81188                Bewerbungsfrist: 

Stellensegment: Pilates, Developer, Web Design, Hospitality, Technology, Creative

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